特許
J-GLOBAL ID:201603014465699584
放熱板付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-130972
公開番号(公開出願番号):特開2016-027645
出願日: 2015年06月30日
公開日(公表日): 2016年02月18日
要約:
【課題】温度変化による形状変化が少なく放熱性に優れ、回路の集積化を図った放熱板付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール。【解決手段】放熱板付パワーモジュール用基板は、回路層は複数の小回路層により、セラミックス基板が少なくとも一枚、金属層が少なくとも一枚で構成され、小回路層が、セラミックス基板の一方の面に接合された第1アルミニウム層と、その第1アルミニウム層に固相拡散接合された第1銅層とを有する積層構造とされ、金属層が第1アルミニウム層と同一材料で、放熱板が銅又は銅合金で、金属層と放熱板とが固相拡散接合され、第1銅層の厚さt1(mm)、接合面積A1(mm2)、耐力σ1(N/mm2)、金属層との接合位置における放熱板の厚さt2、接合面積A2(mm2)、耐力σ2(N/mm2)としたときに、比率(t1×A1×σ1)/(t2×A2×σ2)が0.80以上1.20以下とされる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミックス基板の一方の面に回路層が接合されるとともに、前記セラミックス基板の他方の面に金属層を介して一枚の放熱板が接合された放熱板付パワーモジュール用基板であって、
前記回路層は複数の小回路層により構成され、前記セラミックス基板が少なくとも一枚で構成され、前記金属層が少なくとも一枚で構成されており、
前記小回路層が前記セラミックス基板の一方の面に接合された第1アルミニウム層と、該第1アルミニウム層に固相拡散接合された第1銅層とを有する積層構造とされ、
前記金属層が前記第1アルミニウム層と同一材料により形成され、
前記放熱板が銅又は銅合金により形成され、前記金属層と前記放熱板とが固相拡散接合されており、
前記第1銅層の厚さをt1(mm)、前記第1銅層の接合面積をA1(mm2)、前記第1銅層の耐力をσ1(N/mm2)とし、前記金属層との接合位置における前記放熱板の厚さをt2(mm)、前記放熱板の接合面積をA2(mm2)、前記放熱板の耐力をσ2(N/mm2)としたときに、比率(t1×A1×σ1)/(t2×A2×σ2)が0.80以上1.20以下とされる放熱板付パワーモジュール用基板。
IPC (6件):
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 23/13
, H01L 23/28
FI (5件):
H01L23/36 C
, H01L25/04 C
, H01L23/12 J
, H01L23/12 C
, H01L23/28 B
Fターム (19件):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA21
, 4M109DB02
, 4M109EA02
, 4M109EB13
, 4M109EC04
, 4M109EC20
, 4M109EE01
, 5F136BB04
, 5F136CB07
, 5F136CB08
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136EA36
, 5F136FA02
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA18
引用特許:
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