特許
J-GLOBAL ID:201603014856583793

有機薄膜トランジスタ絶縁層材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 鮫島 睦 ,  山田 卓二 ,  西下 正石
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-116279
公開番号(公開出願番号):特開2013-102116
特許番号:特許第6034056号
出願日: 2012年05月22日
公開日(公表日): 2013年05月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、式(1) (1) [式中、R5は、水素原子又はメチル基を表す。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結し、フッ素原子を有していてもよい連結部分を表す。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1〜20の一価の有機基を表す。該炭素数1〜20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、nは、1〜5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。] で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物(A)を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
IPC (8件):
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/312 ( 200 6.01) ,  C08F 12/22 ( 200 6.01) ,  C08F 20/32 ( 200 6.01) ,  C08F 20/36 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01)
FI (10件):
H01L 29/78 617 T ,  H01L 21/312 A ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/32 ,  C08F 20/36 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 280 ,  H01L 29/78 619 A
引用特許:
審査官引用 (6件)
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