特許
J-GLOBAL ID：201603014886974185
IV族クラスレートの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-033516
公開番号（公開出願番号）：特開2016-155698
出願日： 2015年02月24日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：
【課題】膜状のクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のクラスレートの製造方法は、ゲスト原子を収容している開口部5を有する容器3と、ホスト原子からなる基板2と、を反応容器1内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で500°C以上の温度により0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱して前駆体を生成する第一加熱工程と、容器3と基板2とを収容した状態で反応容器1を冷却する冷却工程と、基板2を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する第二加熱工程とを備えている。本発明のクラスレート製造方法は、第一加熱工程において、基板2を、容器3の開口部5よりも低い位置に配置することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
クラスレートの製造方法であって、
ゲスト原子を収容した開口部を有する容器と、IV族元素のホスト原子からなる基板と、を反応容器内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で500°C以上の温度により0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱する第一加熱工程と、
ゲスト原子を収容した前記容器とホスト原子からなる前記基板とが配置されている反応容器を冷却する冷却工程と、
前記基板を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する第二加熱工程と、
を備えており、
第一加熱工程において、ホスト原子からなる前記基板を、前記容器の開口部よりも低い位置に配置することを特徴とするクラスレートの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4G072AA01
, 4G072AA02
, 4G072AA20
, 4G072BB09
, 4G072BB20
, 4G072GG03
, 4G072JJ08
, 4G072LL03
, 4G072MM36
, 4G072MM40
, 4G072UU02
, 4G072UU30
