特許
J-GLOBAL ID：201403097431450150
Geクラスレートの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
神谷 英昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185015
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043599
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】本発明はGeクラスレートの新規な製造方法に係わるものであって、デバイスに容易に応用可能な膜状で合成するとともに、その結晶配向性をも制御することができる製造方法を提案することを目的とする。【解決手段】GeウエハとNaとを、5〜20mmの間隔をおいて保持し、不活性ガスの雰囲気下300〜480°Cの温度で30分〜10時間加熱する工程の後、10-2Pa以下の陰圧下で200〜350°Cの温度により2〜72時間加熱する工程を経てII型Geクラスレートを製造する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
GeウエハとNaとを、5〜20mmの間隔をおいて保持し、不活性ガスの雰囲気下300〜480°Cの温度で30分〜10時間加熱する工程の後、
10-2Pa以下の陰圧下で200〜350°Cの温度により2〜72時間加熱する工程、
を経てII型Geクラスレートを製造する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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