特許
J-GLOBAL ID：201603015519508832

複合基板

発明者：
北田 勝信

北田 勝信 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022601
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154687
特許番号：特許第5989559号
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1主面と第2主面とを有し、複数の結晶粒を含む多結晶体からなる第1基板と、 二乗平均平方根粗さが1nm以下の第3主面を有する第2基板と、 前記第1基板と前記第2基板との間に位置し、前記第1基板の前記第1主面に接合される第1接合面と、前記第2基板の前記第3主面に接合される第2接合面とを有する非晶質体の中間層と、 前記第1基板の前記第1主面を除く外周面を被覆する、前記第1基板に比べて単位体積あたりの欠陥数の多い多結晶体または非晶質体からなるカバー層と、を有し、 前記第1基板は、気孔率が2%以下のセラミック材料からなり、前記複数の結晶粒のうち前記第1主面に露出する複数の露出結晶粒のそれぞれの露出面の二乗平均平方根粗さが1nm以下であり、前記露出結晶粒それぞれの粒径が1.5μm以下であり、かつ、粒界の厚み方向における深さが10nm以下であり、複数の前記露出結晶粒の前記露出面は厚み方向における位置が互いに異なるものがあり、その位置の差が1nm以下の範囲に存在する前記露出結晶粒の割合が全ての前記露出結晶粒の90%以上である、 複合基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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