Siと金属Mとを含む膜の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：加藤久 , 久保山隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129998
公開番号（公開出願番号）：特開2013-014840
特許番号：特許第5940380号
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】金属Siと金属M(但し、金属MはSi以外の金属である。)とを蒸着源に用いて、柱状構造の集合体を有する膜を基板に蒸着により形成するSiと金属Mとを含む膜の製造方法であって、下記(1)および(2)の条件で蒸着することを特徴とするSiと金属Mとを含む膜の製造方法。 (1)蒸着時の蒸着源の温度が、蒸着源の融点よりも100K以上高い温度であること (2)蒸着時のSi原子の平均自由行程(λ)が蒸着源-基板間距離(D)よりも小さいこと

IPC (2件)：