特許
J-GLOBAL ID：201603016233950097

バイポーラ・パンチ・スルー半導体デバイス及びそのような半導体デバイスを製造するための方法

発明者：
シュフェン・マッティアス

シュフェン・マッティアス について


出願人/特許権者：
アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー

アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー について


代理人 (7件)： 蔵田 昌俊 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  野河 信久 ,  砂川 克
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134819
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004982
特許番号：特許第5992216号
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 バイポーラ・ダイオード(1)を製造するための方法であって、 このバイポーラ・ダイオードは、カソード側(13)に第一の導電性タイプのドリフト・レイヤ(2)を、カソード側(13)と反対側のアノード側(14)に第二の導電性タイプのアノード・レイヤ(3)を有し、 このアノード・レイヤ(3)は、アノード接触レイヤ(5)及びアノード・バッファ・レイヤ(4)を有し、 第二の導電性タイプは、第一の導電性タイプと異なり、 当該方法は、以下の製造工程を以下の順序で有し: (a) 低くドープされた第一の導電性タイプのウエハ(10)を用意し、このウエハ(10)は、第一の側(11)と、第一の側(11)と反対側の第二の側(12)と、を有していて、ウエハの、完成後のダイオードの中で補正されないドーピング濃度の部分が、ドリフト・レイヤ(2)を形成し、 (b) 第一のイオン(42)を、第二の側(12)で、ウエハ(10)に注入し、 (c) 第一のイオン(42)を、ウエハ(10)の中に第一の深さまで拡散させ、 (d) 第二のイオン(44)を、第二の側(12)で、ウエハ(10)に注入し、 (e) 合計のドーピング濃度が、5μmの第二の深さで、8.0*1015cm-3と2.0*1016cm-3との間にあり、且つ、15μmの第三の深さで、1.0*1014cm-3と5.0*1014cm-3との間になるように、第一のイオン(42)及び第二のイオン(44)をウエハ(10)の中に拡散させ、第一のイオン(42)をウエハ(10)の中に、18μmと25μmとの間の第五の深さまで拡散させ、より大きな深さでドーピング濃度が低くなることにより、アノード・バッファ・レイヤ(4)を作り出し、 (f) 第三のイオン(52)を、第二の側(12)で、ウエハ(10)に注入し、 (g) 第三のイオン(52)を、ウエハ(10)の中に、最大で5μmの第四の深さまで、拡散させることにより、アノード接触レイヤ(5)を作り出し、 ここで、全ての深さは、第二の側(12)から測定されること、 を特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D ,  H01L 21/265 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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