特許
J-GLOBAL ID：201603016317452475

3層構造、これを用いた5層磁気トンネル接合素子、及び磁気メモリ装置

発明者：
中川 茂樹

中川 茂樹 について

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史 蹟

史 蹟 について

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高村 陽太

高村 陽太 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京工業大学

国立大学法人東京工業大学 について


代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-188742
公開番号（公開出願番号）：特開2016-063024
出願日： 2014年09月17日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：
【課題】ハーフメタル強磁性体層のスピン分極率を変調できる3層構造を提供すること。【解決手段】フリー層としての金属強磁性体層1、トンネル障壁層2及びピン層としてのハーフメタル強磁性体層3は、3層磁気トンネル接合(MTJ)構造S1を構成する。3層MTJ構造S1のハーフメタル強磁性体層3側には絶縁層4及び導電層5が接合され、ハーフメタル強磁性体層3のスピン分極率を変調する。ハーフメタル強磁性体層3、絶縁層4及び導電層5は3層構造S2を構成する。ハーフメタル強磁性体層3を共通とする3層MTJ構造S1及び3層構造S2は5層MTJ素子S3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ハーフメタル強磁性体層と、 前記ハーフメタル強磁性体層の下に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の下に設けられた導電層と を具備し、 前記絶縁層中の電界によって前記ハーフメタル強磁性体層のスピン分極率を変調する3層構造。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
FI (6件)：
H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
Fターム (21件)：
4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB24 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43
引用特許：
審査官引用 (5件)
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