特許
J-GLOBAL ID：201603016370329901

高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法

発明者：
西村 政通

西村 政通 について

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江口 明良

江口 明良 について

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大野 充

大野 充 について


出願人/特許権者：
株式会社ダイセル

株式会社ダイセル について


代理人 (2件)： 後藤 幸久 ,  羽明 由木
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147874
公開番号（公開出願番号）：特開2014-009319
特許番号：特許第5986825号
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(a)で表されるモノマー単位a、下記式(b1)〜(b4)から選択される少なくとも1種のモノマー単位b、及び下記式(c2)〜(c5)から選択される少なくとも1種のモノマー単位c(モノマー単位bに含まれるものを除く)を少なくとも含む高分子化合物。 (式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R1、R2は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。Raは環Z1に結合している置換基であり、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、又はシアノ基を示す。pは0〜3の整数を示す。pが2以上の場合、2個以上のRaは同一であってもよく、異なっていてもよい。環Z1は炭素数3又は4の脂環式炭化水素環を示す) (式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R3〜R5は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R6、R7は同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R8は-COORd基を示し、前記Rdは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1〜3の整数を示す。Rbは環Z2に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。qは0〜3の整数を示す。環Z2は炭素数5〜20の脂環式炭化水素環を示す) (式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。Xは非結合、メチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Yはメチレン基、又はカルボニル基を示す。R10〜R13は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、又はシアノ基を示す)
IPC (4件)：
C08F 220/28 ( 200 6.01) ,  C08F 220/18 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C08F 220/28 ,  C08F 220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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