特許
J-GLOBAL ID：201603016776518675
銅膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永田 元昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-195861
公開番号（公開出願番号）：特開2015-059267
特許番号：特許第5995811号
出願日： 2013年09月20日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空条件下に導入し、所定の電圧をかけることにより放電させ、イオン化した反応ガス雰囲気中で、銅を主原料として形成したターゲットをスパッタし、該ターゲットから放出されたスパッタ粒子を基材の表面に堆積させる銅膜の成膜方法であって、
前記反応ガスはアルゴンガスであり、
銅の純度が99.9重量%以上、且つ結晶粒径が200μm以下である前記ターゲットを用い、
前記基材の表面に、
表面粗さが2.2nm以下、Cu膜抵抗率が1.4μΩcm以下、並びに
数式1及び2で算出される、組成する結晶子の大きさの偏差が0.4以下である銅膜を成膜する
銅膜の成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C23C 14/14 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, C23C 14/14 D
, H01L 21/285 S
, H01L 21/28 301 R
