【請求項1】 バイアス電源とグラウンドとの間で直列に接続され、それぞれのゲート端子に入力電圧が印加される第1及び第2の電界効果トランジスタを備える論理回路であって、
前記第1及び第2の電界効果トランジスタのうちの少なくとも1つは、
前記ゲート端子が接続されるゲート電極膜と、
半導体材料からなるチャネル層と、
前記ゲート電極膜と前記チャネル層との間に配置され、電荷を蓄積及び放出する電荷蓄積構造を含む電荷蓄積層と、
を有し、
前記バイアス電源、前記グラウンド、及び前記ゲート端子の少なくとも1つには、雑音源が接続されている、
ことを特徴とする論理回路。
H01L 27/095 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/8232 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
, H03K 19/0952 ( 200 6.01)