特許
J-GLOBAL ID:201603017375519829

半導電性ローラ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  京村 順二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-115877
公開番号(公開出願番号):特開2015-230370
出願日: 2014年06月04日
公開日(公表日): 2015年12月21日
要約:
【課題】機械的特性や電気的特性を変化させたり、トナーの付着による画像濃度の低下等を生じたり、感光体等の汚染による画質の低下等を生じたりすることなしに、特に低温、低湿でのローラ抵抗値を最適な値に調整できる上、環境によるローラ抵抗値の変動を抑制でき、画像形成装置をしばらくの間停止した後の再開1枚目の画像形成時に黒ベタ部の画像濃度の低下等を生じにくい半導電性ローラを提供する。【解決手段】半導電性ローラ1は、スチレンブタジエンゴムおよびエピクロルヒドリンゴムを含むゴム分、当該ゴム分の総量100質量部あたり0.05〜5質量部の、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンの塩を含むゴム組成物によって非多孔質でかつ単層構造に形成した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
スチレンブタジエンゴムおよびエピクロルヒドリンゴムを含むゴム分、ならびに前記ゴム分の総量100質量部あたり0.05質量部以上、5質量部以下の、分子中にフルオロ基およびスルホニル基を有する陰イオンの塩を含むゴム組成物によって非多孔質でかつ単層構造に形成された半導電性ローラ。
IPC (1件):
G03G 15/08
FI (1件):
G03G15/08 501D
Fターム (4件):
2H077AD06 ,  2H077FA12 ,  2H077FA23 ,  2H077GA02
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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