特許
J-GLOBAL ID：201603018150835825
不揮発性記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-192621
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049660
特許番号：特許第6009867号
出願日： 2012年08月31日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電層と、
第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられ、低抵抗状態と高抵抗状態との間を遷移可能な抵抗変化層であって、ハフニウム(Hf)およびジルコニウム(Zr)の少なくともいずれかと、バリウム(Ba)、ランタン(La)、ガドリニウム(Gd)およびルテチウム(Lu)からなる群より選択される少なくともいずれか1つの元素と、窒素(N)と、を含有する酸化物を含む抵抗変化層と、
を備え、
前記抵抗変化層は、第1の部分と、前記第2導電層と前記第1の部分との間に設けられた第2の部分と、を有し、
前記第1の部分における第1窒素濃度と、前記第2の部分における第2窒素濃度と、の差の絶対値を、前記第1窒素濃度および前記第2窒素濃度のうちの低い方で除した値は、前記第1の部分における前記いずれか1つの元素の第1濃度と、前記第2の部分における前記いずれか1つの元素の第2濃度と、の差の絶対値を、前記第1濃度および前記第2濃度のうちの低い方で除した値よりも小さい不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
H01L 27/10 448
, H01L 27/10 481
, H01L 45/00 Z
, H01L 49/00 Z
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
