特許
J-GLOBAL ID:201603018491288679

パワー半導体素子用保護膜、及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  中村 和広 ,  勝又 秀夫 ,  三間 俊介 ,  齋藤 都子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-147915
公開番号(公開出願番号):特開2016-023226
出願日: 2014年07月18日
公開日(公表日): 2016年02月08日
要約:
【課題】耐電圧、高温高湿状態における体積抵抗値、及び耐薬品性のすべてが高く、しかもこれらの性能が長期にわたって維持される、信頼性、及び耐久性に優れたパワーデバイス用保護膜を提供すること。【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を硬化して得られる、パワー半導体素子の保護膜。{n1及びn2は各々独立に、0〜2の整数;X1は2価の有機基;Y1は(2+n1+n2)価の有機基;R1は各々独立に、H又はC1〜10の炭化水素基}【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1):
IPC (8件):
C08G 14/073 ,  G03F 7/023 ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/312
FI (7件):
C08G14/073 ,  G03F7/023 ,  G03F7/09 501 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/90 S ,  H01L21/312 D
Fターム (33件):
2H125AF05P ,  2H125AM75P ,  2H125AM76P ,  2H125AM99P ,  2H125AN54P ,  2H125CA12 ,  2H125CB06 ,  2H125CC03 ,  2H125CC21 ,  2H125DA31 ,  2H196AA25 ,  2H196BA10 ,  2H196EA02 ,  2H196HA01 ,  4J033FA10 ,  4J033FA11 ,  4J033FA13 ,  4J033GA05 ,  4J033HB06 ,  5F033GG01 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR27 ,  5F033SS22 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F058AA04 ,  5F058AA05 ,  5F058AC07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03
引用特許:
審査官引用 (4件)
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