特許
J-GLOBAL ID:201603018491288679
パワー半導体素子用保護膜、及びその形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 中村 和広
, 勝又 秀夫
, 三間 俊介
, 齋藤 都子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-147915
公開番号(公開出願番号):特開2016-023226
出願日: 2014年07月18日
公開日(公表日): 2016年02月08日
要約:
【課題】耐電圧、高温高湿状態における体積抵抗値、及び耐薬品性のすべてが高く、しかもこれらの性能が長期にわたって維持される、信頼性、及び耐久性に優れたパワーデバイス用保護膜を提供すること。【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を硬化して得られる、パワー半導体素子の保護膜。{n1及びn2は各々独立に、0〜2の整数;X1は2価の有機基;Y1は(2+n1+n2)価の有機基;R1は各々独立に、H又はC1〜10の炭化水素基}【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1):
IPC (8件):
C08G 14/073
, G03F 7/023
, G03F 7/09
, G03F 7/40
, H01L 21/027
, H01L 21/768
, H01L 23/532
, H01L 21/312
FI (7件):
C08G14/073
, G03F7/023
, G03F7/09 501
, G03F7/40 501
, H01L21/30 502R
, H01L21/90 S
, H01L21/312 D
Fターム (33件):
2H125AF05P
, 2H125AM75P
, 2H125AM76P
, 2H125AM99P
, 2H125AN54P
, 2H125CA12
, 2H125CB06
, 2H125CC03
, 2H125CC21
, 2H125DA31
, 2H196AA25
, 2H196BA10
, 2H196EA02
, 2H196HA01
, 4J033FA10
, 4J033FA11
, 4J033FA13
, 4J033GA05
, 4J033HB06
, 5F033GG01
, 5F033QQ01
, 5F033QQ74
, 5F033RR21
, 5F033RR27
, 5F033SS22
, 5F033WW03
, 5F033XX00
, 5F058AA04
, 5F058AA05
, 5F058AC07
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH03
引用特許: