飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-174138
公開番号（公開出願番号）：特開2016-050769
出願日： 2014年08月28日
公開日（公表日）： 2016年04月11日
要約：

【課題】電流電圧測定試験及び元素分析マッピングを一括して行うための飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF-SIMS)内電流電圧印加測定機構を提供する。【解決手段】二つの電極と試料を固定する固定部材10A、10Bとを少なくとも有する試料ホルダと、電流電圧印加試験を行うための電流電圧測定機器2とを備え、該試料ホルダは試料を保持可能に構成され、TOF-SIMSによるTOF-SIMS計測と、電流電圧測定機器による試料に対する電流電圧の印加と試料の印加に伴う電気的特性の測定とを一括して行うように構成されたTOF-SIMS内電流電圧印加測定機構。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF-SIMS)内電流電圧印加測定機構であって、二つの電極と、試料を固定する固定部材と、を少なくとも有する試料ホルダと、電流電圧印加試験を行うための電流電圧測定機器とを備え、前記試料ホルダは、前記試料を保持可能に構成され、前記TOF-SIMSによるTOF-SIMS計測と、前記電流電圧測定機器による前記試料に対する電流電圧の印加と前記試料の前記印加に伴う電気的特性の測定と、を一括して行うように構成される、前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF-SIMS)内電流電圧印加測定機構。

IPC (2件)：

G01N 27/62 , H01J 49/40

FI (4件)：

G01N27/62 V , G01N27/62 Y , G01N27/62 B , H01J49/40

Fターム (9件)：

2G041CA01 , 2G041DA16 , 2G041EA01 , 2G041FA16 , 2G041FA30 , 2G041GA06 , 2G041GA13 , 2G041GA16 , 2G041MA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

試料分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-190890 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ
荷電粒子源および荷電粒子ビーム装置並びに不良解析方法および半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-118819 出願人：株式会社日立製作所
ガラスベースSOI構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-148605 出願人：コーニングインコーポレイテッド

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