エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-137178
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003142
特許番号：特許第6009237号
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リンが添加されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜が設けられたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、中央の抵抗率が外周部の抵抗率よりも低いシリコンウェーハに対し、前記中央における前記エピタキシャル膜の膜厚が、前記外周部の膜厚よりも厚くなるように前記エピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程を有することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2件)：