特許
J-GLOBAL ID：201103004140535833
エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-153496
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009614
出願日： 2009年06月29日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】リン(P)およびゲルマニウム(Ge)がドープされたシリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層が形成されたゲッタリング能力に優れるエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。【解決手段】リンとゲルマニウムが高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をCVD法で成長させ、その後、シリコン結晶基板の裏面側に、ポリシリコン層を成長させるPBS形成工程を実行する。これにより、SFに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるLPD(SFに起因して生じる)の個数が大幅に減る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
電気抵抗率調整用n型ドーパントとしてリンがドープされ、かつゲルマニウムがドープされたシリコン結晶基板を用意する第1ステップと、
前記シリコン結晶基板の表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する第2ステップと、
前記第2ステップを実行した後に、前記シリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層を形成する第3ステップと
を有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030BB02
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AB02
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AD09
, 5F045AD14
, 5F045AE19
, 5F045AF03
, 5F045BB12
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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