特許
J-GLOBAL ID：201603019173240965

配線基板の製造方法

発明者：
野沢 善幸

野沢 善幸 について


出願人/特許権者：
SPPテクノロジーズ株式会社

SPPテクノロジーズ株式会社 について


代理人 (1件)： アセンド特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-046382
公開番号（公開出願番号）：特開2016-171323
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2016年09月23日
要約：
【課題】不良が生じにくい配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態の配線基板の製造方法は、中間基板製造工程と、絶縁層形成工程と、柱梁除去工程と、導体形成工程とを備える。中間基板製造工程では、半導体基板2をエッチングして、有底孔22と、半導体柱10と、半導体梁11、12とを形成する。半導体柱10は、有底孔22の底に立設される。半導体梁11、12は、半導体柱10の上端部同士、又は、半導体柱10の上端部と有底孔22の縁23とを連結する。絶縁層形成工程は、中間基板を製造後、有底孔22に絶縁材料を付着させて絶縁層3を形成する。柱梁除去工程は、絶縁層3を形成した後、エッチングにより、半導体柱10及び半導体梁11、12を除去して柱状導体用孔を形成する。導体形成工程は、形成された柱状導体用孔に導体材料を充填して柱状導体4を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、第1絶縁層と、柱状導体とを備える配線基板の製造方法であって、 前記半導体基板をエッチングして、有底孔と、前記有底孔に立設される半導体柱と、前記半導体柱の上端部同士、又は、前記半導体柱の上端部と前記有底孔の縁とを連結する半導体梁とを備える中間基板を製造する中間基板製造工程と、 前記中間基板を製造後、前記有底孔に絶縁材料を付着させて前記第1絶縁層を形成する工程と、 前記第1絶縁層を形成した後、エッチングにより、前記半導体柱を除去して柱状導体用孔を形成する工程と、 前記柱状導体用孔に導体材料を充填して柱状導体を形成する工程とを備える、配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (1件)：
H01L21/88 J
Fターム (34件)：
5F033JJ00 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ18 ,  5F033MM30 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT00 ,  5F033XX00
引用特許：
出願人引用 (8件)
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