特許
J-GLOBAL ID：201503011227537251

トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチング方法

発明者：
ユー ケベン

ユー ケベン について

, 
クマー アジャイ

クマー アジャイ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-529879
公開番号（公開出願番号）：特表2015-534261
出願日： 2013年08月23日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：
トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチングの方法が記載される。一実施形態では、本方法は、プラズマエッチングを介して半導体ウェハ内に形成されたトレンチの側壁を平滑化する工程を含む。本方法は、第2処理ガス(例えば、酸素又は重合ガス)によって生成されたプラズマによって形成された保護層を有するトレンチの側壁を平滑化するためにフッ素ガスから生成されたプラズマによって半導体ウェハを指向性エッチングする工程を含む。別の一実施形態では、本方法は、滑らかな側壁を有するトレンチを生成するために半導体ウェハをエッチングする工程を含む。本方法は、フッ素ガスを含む1以上の第1処理ガスによって半導体ウェハをプラズマエッチングする工程と、フッ素ガスと重合ガスの混合物を含む1以上の第2処理ガスによって半導体ウェハの堆積とプラズマエッチングを同時に実行する工程と、重合ガスを含む1以上の第3処理ガスによって堆積を実行する工程を含む。
請求項（抜粋）：
プラズマエッチングを介して半導体ウェハ内に形成されたトレンチの側壁を平滑化する方法であって、 処理チャンバ内の台座によって半導体ウェハを支持する工程と、 処理チャンバ内にフッ素ガス及び第2ガスを導入する工程と、 フッ素ガス及び第2ガスからプラズマを生成するために処理チャンバに電力を供給する工程であって、第2ガスから生成されたプラズマは、トレンチの側壁上に保護層を形成するためのものである工程と、 保護層を有するトレンチの側壁を平滑化するためにフッ素ガスから生成されたプラズマによって半導体ウェハを指向性エッチングする工程を含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/88 J ,  H05H1/46 L
Fターム (44件)：
2G084AA02 ,  2G084BB06 ,  2G084BB11 ,  2G084CC13 ,  2G084CC25 ,  2G084CC33 ,  2G084DD03 ,  2G084DD38 ,  2G084HH06 ,  2G084HH26 ,  2G084HH28 ,  2G084HH32 ,  2G084HH41 ,  2G084HH54 ,  2G084HH55 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB00 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB08 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033WW07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX04
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM