特許
J-GLOBAL ID：201603020367811392
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-034716
公開番号（公開出願番号）：特開2012-191190
特許番号：特許第5937842号
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上の、第2の半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記第1の半導体層と、前記ソース電極との間に空間を有し、
前記第1の半導体層と、前記ドレイン電極との間に空間を有し、
前記第2の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
前記第2の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 618 Z
