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J-GLOBAL ID：201702210756328303   整理番号：17A1802586

熱酸化表面保護によるケイ素上のゲルマニウムナノディスクからの増強した発光

Enhanced light emission from germanium microdisks on silicon by surface passivation through thermal oxidation

著者 (5件)： XU Xuejun (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  HASHIMOTO Hideaki (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  SAWANO Kentarou (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  NOHIRA Hiroshi (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  MARUIZUMI Takuya (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 5  ページ： 052101.1-052101.4  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素上のアンドープおよびnドープゲルマニウムマイクロディスクからの増強した直接ギャップ発光を観察した。ドライエッチングした側壁の表面保護による増加したキャリア密度に主に起因する。増強因子はディスクサイズが小さくなると増加し,1μm半径のマイクロディスクでは4に近づく。最大増強を達成し,共振体の幾何学的構造を変えないために,400~500°Cが最適な温度窓であることを見出す。熱酸化もまたスパッタAl₂O₃により誘起された劣化界面に有効である。これらの結果から,熱酸化は低しきい値ゲルマニウムレーザ作製に適した有望な方法であることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *半導体レーザ ,  *ナノ構造 ,  *表面処理 ,  *熱酸化 ,  *光ルミネセンス ,  *ドーピング ,  半導体薄膜 ,  ドライエッチング ,  *円板 ,  キャリア密度 ,  *依存性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： ナノディスク ,  表面保護 ,  *マイクロディスク ,  *サイズ依存性 ,  マイクロディスクレーザ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (34件)：

• J. Liu, L. C. Kimerling, and J. Michel, Semicond. Sci. Technol. 27, 094006 (2012).
• P. Boucaud, M. El Kurdi, A. Ghrib, M. Prost, M. de Kersauson, S. Sauvage, F. Aniel, X. Checoury, G. Beaudoin, L. Largeau, I. Sagnes, G. Ndong, M. Chaigneau, and R. Ossikovski, Photonics Res. 1, 102 (2013).
• J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L. C. Kimerling, T. L. Koch, and J. Michel, Opt. Express 15, 11272 (2007).
• X. Sun, J. Liu, L. C. Kimerling, and J. Michel, Appl. Phys. Lett. 95, 011911 (2009).
• M. El Kurdi, T. Kociniewski, T.-P. Ngo, J. Boulmer, D. Debarre, P. Boucaud, J. Damlencourt, O. Kermarrec, and D. Bensahel, Appl. Phys. Lett. 94, 191107 (2009).

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱酸化 ,  表面保護 ,  ケイ素 ,  増強