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J-GLOBAL ID：201702213467815956   整理番号：17A0848465

ミストCVD法による立方晶MgO(111)およびイットリア安定化ジルコニア(111)基板上のε-Ga₂O₃薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of ε-Ga₂O₃ thin films on cubic (111) MgO and (111) yttria-stablized zirconia substrates by mist chemical vapor deposition

著者 (3件)： NISHINAKA Hiroyuki (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  TAHARA Daisuke (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  YOSHIMOTO Masahiro (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 12  ページ： 1202BC.1-1202BC.4  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ミスト化学気相成長法により,立方晶MgO(111)およびイットリア安定化ジルコニア(YSZ)(111)基板上にエピタキシャルε-Ga₂O₃薄膜をうまく成長させる。X線回折(XRD)2θ-ωスキャンにより決定されたc軸配向を有する2つの基板上に純粋な六方晶ε-Ga₂O₃薄膜を成長させる。XRDの極点図測定結果から,ε-Ga₂O₃(0001)と2つの基板の(111)面内の配向関係は,ε-Ga₂O₃ [10<span style=text-decoration:overline>1</span>0]∥基板[<span style=text-decoration:overline>1</span><span style=text-decoration:overline>1</span>]であることが明らかになった。2.5%の格子不整合を有するMgO(111)基板を用いて,エピタキシャルε-Ga₂O₃膜は400°Cの低温で良好に成長する。純粋なε-Ga₂O₃薄膜の光学的直接バンドギャップおよび間接バンドギャップはそれぞれ5.0および4.5eVと推定される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化ガリウム ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  X線回折 ,  *六方晶系 ,  結晶方位 ,  格子不整合 ,  *バンドギャップ ,  *ミストCVD ,  *直接バンドギャップ ,  *間接バンドギャップ ,  YSZ【セラミック】
準シソーラス用語： イットリア安定化ジルコニア ,  結晶配向

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (30件)：

• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
• T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys 38, 3976 (1999).
• A. Yamada, B. Sang, and M. Konagai, Appl. Surf. Sci. 112, 216 (1997).
• T. Hirao, M. Furuta, T. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Li, H. Furuta, H. Hokari, M. Yoshida, H. Ishii, and M. Kakegawa, IEEE Trans. Electron Devices 55, 3136 (2008).
• A. Itoh, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Electron Device Lett. 16, 280 (1995).

タイトルに関連する用語 (7件)： ミストCVD法 ,  立方晶 ,  MgO ,  イットリア安定化ジルコニア ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  成長