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J-GLOBAL ID：201702216257337171   整理番号：17A1698869

ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタの高性能化・高機能化

High performance and functional polycrystalline-silicon thin-film transistors on a glass substrate

著者 (1件)： 原明人 (東北学院大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 86  号： 11  ページ： 962-966  発行年： 2017年11月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： IoT(Internet of Things)を構成するデバイスには,環境発電技術を利用する低電圧・低消費電力トランジスタが望まれている,それに加え,低価格であることが重要である。筆者は低価格化への1つのアプローチとしてガラス基板に注目し,低電圧で動作する低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの実現を試みた。薄膜シリコンに対して優れた結晶品質が得られるレーザー結晶化技術を利用し,4端子低温多結晶シリコン薄膜トランジスタから構成されるCMOSインバータを作製した結果,電源電圧1.0Vでの動作を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： 電気装置部品 ,  *ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  相互接続 ,  *レーザ照射 ,  結晶化 ,  *論理回路 ,  ガラス基板
準シソーラス用語： *多結晶シリコン ,  IoT ,  *CMOSインバータ

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  論理回路  (NC05070B)

引用文献 (36件)：

• S.D. Theiss, P.G. Carey, P.M. Smith, P. Wickboldt, T.W. Sigmon, Y.J. Tung, and T.-J. King: IEDM Tech. Dig. p.257 (1998).
• D.P. Gosain, T. Noguchi, and S. Usui: Jpn. J. Appl. Phys. 39, L179 (2000).
• Y. Lee, H. Li, and S.J. Fonash: IEEE Electr. Device Lett. 24, 19 (2003).
• A. Pecora, L. Maiolo, M. Cuscunà, D. Simeone, A. Minotti, L. Mariucci, and G. Fortunato: Solid-State Electron. 52, 348 (2008).
• T. Serikawa and F. Omata: IEEE Electr. Device Lett. 20, 574 (1999).

タイトルに関連する用語 (5件)： ガラス基板 ,  多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  高性能化 ,  高機能化