文献

J-GLOBAL ID：201702219122968876   整理番号：17A1943374

ハライド気相成長法による直径2インチ(001)のβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャルウェーハの作製

Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga₂O₃ homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy

著者 (16件)： THIEU Quang Tu (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  WAKIMOTO Daiki (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  WAKIMOTO Daiki (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KOISHIKAWA Yuki (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  KOISHIKAWA Yuki (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  GOTO Ken (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  GOTO Ken (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KONISHI Keita (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KUMAGAI Yoshinao (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 11  ページ： 110310.1-110310.3  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,直径2インチの(001)ウェーハ上の厚いβ-Ga₂O₃層のホモエピタキシャル成長を,ハライド気相エピタキシーによって実証した。3?4μm/hの成長速度が,意図的にSiドープされたn型層の成長について確認された。10.9μmおよび2.7×10¹⁶cm^-3の平均厚さおよびキャリア濃度を有するホモエピタキシャル層は,それぞれ1.8μm(16.5%)および0.5×10¹⁶cm^-3(19.7%)の標準偏差を示した。キャリア濃度3.4×10¹⁶cm^-3の5.3μm厚のホモエピタキシャル層上に直接作製されたNiショットキーバリアダイオードは,逆方向および順方向特性が妥当であることを示した。すなわち,破壊電圧が200Vを超え,オン抵抗が室温で3.8-7.7mΩcm²であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *気相成長 ,  *ハロゲン化物 ,  *酸化ガリウム ,  *ホモエピタクシー ,  半導体薄膜 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *電圧 ,  特性
準シソーラス用語： *絶縁破壊電圧 ,  デバイス特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (27件)：

• M. M. Muhammed, M. A. Roldan, Y. Yamashita, S.-L. Sahonta, I. A. Ajia, K. Iizuka, A. Kuramata, C. J. Humphreys, and I. S. Roqan, Sci. Rep. 6, 29747 (2016).
• A. S. Pratiyush, S. Krishnamoorthy, S. V. Solanke, Z. Xia, R. Muralidharan, S. Rajan, and D. N. Nath, Appl. Phys. Lett. 110, 221107 (2017).
• M. Higashiwaki, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Kuramata, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 1202A1 (2016).
• M. A. Mastro, A. Kuramata, J. Calkins, J. Kim, F. Ren, and S. J. Pearton, ECS J. Solid State Sci. Technol. 6, P356 (2017).
• M. Fleischer and H. Meixner, J. Appl. Phys. 74, 300 (1993).

タイトルに関連する用語 (8件)： ハライド ,  気相成長 ,  直径 ,  インチ ,  β-Ga2O3 ,  ホモ ,  エピタキシャルウェーハ ,  作製