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J-GLOBAL ID：201702220582697466   整理番号：17A0955208

接合をもたない全周ゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタの温度およびドーピング濃度に依存する特性

Temperature- and doping-concentration-dependent characteristics of junctionless gate-all-around polycrystalline-silicon thin-film transistors

著者 (4件)： TSO Chia-Tsung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Tung-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  PAN Fu-Ming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHEU Jeng-Tzong (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CD14.1-04CD14.5  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全周ゲート型多結晶シリコンナノ細線(GAA-ポリSi NW)の接合レス(JL)および反転モード(IM)トランジスタデバイスについて,種々の温度(77~410K)における温度効果を調べた。これらのデバイスのサブスレッショルド係数(SS),閾値電圧(V_th),およびドレイン誘起バリア低下(DIBL)のような電気特性についても評価し,比較した。また,種々の温度において,ドーピング濃度の異なるJLデバイスについても検討した。1×10¹⁹および5×10¹⁹cm^-3のドーピング濃度をもつJLデバイスのV_thとI_onは,ともに大きなドーピング濃度依存性を示した。しかし,JLデバイスの電気特性は,ドーピング濃度が10²⁰cm^-3に達したとき低い熱感受性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ポリシリコン ,  *ナノワイヤ ,  *温度依存性 ,  *ドーピング ,  濃度依存性 ,  電圧 ,  係数
準シソーラス用語： 反転モード ,  閾値電圧 ,  サブスレッシュホールド係数

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (29件)：

• J.-T. Sheu, P.-C. Huang, T.-S. Sheu, C.-C. Chen, and L.-A. Chen, IEEE Electron Device Lett. 30, 139 (2009).
• T. Y. Liu, S. C. Lo, and J.-T. Sheu, IEEE Electron Device Lett. 34, 523 (2013).
• J. P. Colinge, A. Kranti, R. Yan, C. W. Lee, I. Ferain, R. Yu, N. D. Akhavan, and P. Razavi, Solid-State Electron. 65-66, 33 (2011).
• R. Rios, A. Cappellani, M. Armstrong, A. Budrevich, H. Gomez, R. Pai, N. Rahhal-Orabi, and K. Kuhn, IEEE Electron Device Lett. 32, 1170 (2011).
• J.-T. Park and J.-P. Colinge, IEEE Trans. Electron Devices 49, 2222 (2002).

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  ドーピング