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J-GLOBAL ID：201702220809878456   整理番号：17A0844110

高濃度SF₆ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工

著者 (5件)： 井上裕貴 (大阪大 大学院工学研究科) ,  田尻光毅 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  松山智至 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2016  ページ： 60-61  発行年： 2016年07月12日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCデバイス製造工程においてサブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチングを検討している。今回,加工速度の向上を目的とし,Fラジカルを増加させることで加工の高能率化を図った。減圧条件にすることで高濃度SF₆中でもプラズマを発生させることに成功し,さらにSF₆濃度100%においても安定にプラズマを発生させることに成功した。また,試料台に絶縁体を溶射することで大電力の投入に成功し,2インチSiCウエハの全面薄化加工速度15.2μm/minを達成した。(著者抄録)

シソーラス用語： *フッ化硫黄 ,  *大気プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  加工速度 ,  *減圧 ,  絶縁体 ,  ウエハ【IC】 ,  化学反応 ,  酸化イットリウム
準シソーラス用語： *SiC基板 ,  高濃度 ,  *高能率加工 ,  低コスト化

分類 (1件)： その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高濃度 ,  SF6ガス ,  サブ ,  大気圧プラズマ ,  エッチング ,  SiC基板 ,  高能率加工