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J-GLOBAL ID：201702223029710770   整理番号：17A0955320

ダイヤモンド高電圧p-i-nダイオードの動特性

Dynamic properties of diamond high voltage p-i-n diodes

著者 (15件)： TRAORE Aboulaye (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NAKAJIMA Akira (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (JST-Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Ibaraki, JPN) ,  KUWABARA Daisuke (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KUWABARA Daisuke (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (JST-Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Ibaraki, JPN) ,  OGURA Masahiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OGURA Masahiko (JST-Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (JST-Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (JST-Core Res. for Evolutional Sci. and Technol. (CREST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CR14.1-04CR14.4  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆回復現象に注目して,ダイヤモンドp⁺-i-n⁺ダイオードのスイッチング特性を検討した。逆回復現象は,ベース伝導率変調に基づく。ダイヤモンドp⁺-i-n⁺ダイオード中の電気伝導は未だ不明確であり,ベース伝導率変調の有効性は,主要関心事にとどまっている。ダイヤモンドp⁺-i-n⁺ダイオードのターンオフ波形の測定結果は逆回復を示し,そのバイポーラ性は明らかである。ダイヤモンドp⁺-i-n⁺ダイオードは,ソフト回復と非常に高速のスイッチング動作(200ns以下の回復時間)を示す。さらに,スイッチング条件によっては,ダイヤモンドp⁺-i-n⁺ダイオードにおける逆回復は,よく知られた動的アバランシェブレークダウンと見なせるターンオフ不全を引き起こす。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *PINダイオード ,  半導体薄膜 ,  特性 ,  *動特性 ,  ターンオフ ,  *ダイヤモンド
準シソーラス用語： ダイヤモンド半導体 ,  スイッチング特性

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (26件)：

• P.-N. Volpe, P. Muret, J. Pernot, F. Omnès, T. Teraji, Y. Koide, F. Jomard, D. Planson, P. Brosselard, N. Dheilly, B. Vergne, and S. Scharnholz, Appl. Phys. Lett. 97, 223501 (2010).
• H. Umezawa and Y. Kato, Appl. Phys. Express 6, 011302 (2013).
• A. Traoré, P. Muret, A. Fiori, D. Eon, E. Gheeraert, and J. Pernot, Appl. Phys. Lett. 104, 052105 (2014).
• A. Fiori, T. Teraji, and Y. Koide, Phys. Status Solidi A 221, 1862 (2014).
• T. Makino, K. Oyama, H. Kato, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Okushi, and S. Yamasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FA12 (2014).

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  高電圧 ,  ダイオード ,  動特性