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J-GLOBAL ID：201402224590742543   整理番号：14A0706437

大量ドープしたホッピングp⁺層とn⁺層を用いて作製したダイヤモンド電子素子

Diamond electronic devices fabricated using heavily doped hopping p⁺ and n⁺ layers

著者 (14件)： MAKINO Toshiharu (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  OYAMA Kazuhiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  OGURA Masahiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OGURA Masahiko (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 5S1  ページ： 05FA12.1-05FA12.8  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オン抵抗が非常に低いダイヤモンドダイオードを示し論じた。室温でホッピング伝導を示す,大量の硼素をドープしたp「⁺型と燐をドープしたn⁺型ダイヤモンド膜を用いた。これらのダイヤモンド模型は独特の性質を持ち,約10²⁰cm^-3の高い不純物濃度でも結晶度を劣化させずに電気抵抗率が劇的に低下する。この独特の性質を二種類のダイヤモンドダイオードに適用した。一方はp⁺-i-n⁺接合ダイオード,他方はp⁺-nとn型Schottky接合の組合せからなるSchottky pnダイオードである。両ダイオードの電流電圧特性と容量電圧特性を評価した。結果はmΩcm²台の低いオン電気抵抗率とns台の高速スイッチングを示した。これらの結果はホッピングp⁺層とn⁺層を用いて低損失ダイヤモンドダイオードを実現できることを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ホッピング伝導 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  ドーピング ,  電気抵抗率 ,  *ダイヤモンド ,  ダイオード ,  PINダイオード ,  PN接合 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  固体素子 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 電子素子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (28件)：

• W. Ebert, A. Vescan, P. Gluche, T. Borst, and E. Kohn, Diamond Relat. Mater. 6, 329 (1997).
• D. J. Twitchen, A. J. Whitehead, S. E. Coe, J. Isberg, J. Hammersberg, T. Wikstrom, and E. Johansson, IEEE Trans. Electron Devices 51, 826 (2004).
• H. Umezawa, T. Saito, N. Tokuda, M. Ogura, S.-G. Ri, H. Yoshikawa, and S. Shikata, Appl. Phys. Lett. 90, 073506 (2007).
• T. Teraji, S. Koizumi, Y. Koide, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L196 (2007).
• T. Iwasaki, Y. Hoshino, K. Tsuzuki, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Matsumoto, H. Okushi, S. Yamasaki, and M. Hatano, Appl. Phys. Express 5, 091301 (2012).

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  ホッピング ,  作製 ,  ダイヤモンド ,  電子素子