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J-GLOBAL ID：201702223212186268   整理番号：17A1802746

反応性イオンエッチング表面処理を用いた単結晶AlN基板上に成長したAlリッチn-AlGaNのオーミック接触の性能向上

Performance improvement of ohmic contacts on Al-rich n-AlGaN grown on single crystal AlN substrate using reactive ion etching surface treatment

著者 (9件)： SARKAR Biplab (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  HAIDET Brian B. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  REDDY Pramod (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  REDDY Pramod (Adroit Materials, NC, USA) ,  KIRSTE Ronny (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  KIRSTE Ronny (Adroit Materials, NC, USA) ,  COLLAZO Ramon (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SITAR Zlatko (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SITAR Zlatko (Adroit Materials, NC, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 7  ページ： 071001.1-071001.3  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性イオンエッチング(RIE)に基づく表面処理によって,単結晶AlN基板上に成長させたAlリッチn-AlGaNの比接触抵抗の4桁の改善が達成される。As-grown Alリッチn-AlGaN/AlNへのオーミック接触は,大きなSchottky障壁と低い転位密度による高い接触抵抗と非線形性を示す。RIE表面処理は,自由表面における障壁高さを約0.5eVだけ減少させ,オーミック接触形成に必要な欠陥表面を導入することも期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： RIE【エッチング】 ,  *窒化アルミニウム ,  *ガリウム化合物 ,  単結晶 ,  *Ohm接触 ,  Schottky障壁 ,  転位密度 ,  接触抵抗 ,  MOCVD ,  非線形性 ,  電流電圧特性 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 反応性イオンエッチング ,  AlGaN ,  III-V族半導体

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (27件)：

• M. Kneissl, in III-Nitride Ultraviolet Emitters, ed. M. Kneissl and J. Rass (Springer, Cham, 2016) p. 1.
• A. Khan, K. Balakrishnan, and T. Katona, Nat. Photonics 2, 77 (2008).
• K. H. Li, X. Liu, Q. Wang, S. Zhao, and Z. Mi, Nat. Nanotechnol. 10, 140 (2015).
• R. J. Kaplar, A. A. Allerman, A. M. Armstrong, M. H. Crawford, J. R. Dickerson, A. J. Fischer, A. G. Baca, and E. A. Douglas, ECS J. Solid State Sci. Technol. 6, Q3061 (2017).
• J. Xie, S. Mia, R. Dalmau, R. Collazo, A. Rice, J. Tweedie, and Z. Sitar, Phys. Status Solidi C 8, 2407 (2011).

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性イオンエッチング ,  表面処理 ,  単結晶 ,  AlN ,  成長 ,  Al ,  オーミック接触 ,  性能向上