In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ベースの抵抗ランダムアクセスメモリーにおける極性形成プロセスを制御した後の不活性Pt電極スイッチング機構

WU Cheng-Hsien; PAN Chih-Hung; CHEN Po-Hsun; CHANG Ting-Chang; CHANG Ting-Chang; TSAI Tsung-Ming; CHANG Kuan-Chang; SHIH Chih-Cheng; CHI Ting-Yang; CHU Tian-Jian; WU Jia-Ji; DU Xiaoqin; ZHENG Hao-Xuan; SZE Simon M.

文献

J-GLOBAL ID：201702223830572573 整理番号：17A1811522

In₂O₃ベースの抵抗ランダムアクセスメモリーにおける極性形成プロセスを制御した後の不活性Pt電極スイッチング機構

Inert Pt electrode switching mechanism after controlled polarity-forming process in In₂O₃-based resistive random access memory

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A1811522&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1811522&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599C") }}

著者 (14件)： , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 10 号： 9 ページ： 094102.1-094102.4 発行年： 2017年09月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究では,我々がPt/In₂O₃/TiN素子の層をPt電極かTiN電極に近傍化を制御することを可能にする形成技術を実証する。このことは,In₂O₃ベースの抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)が活性または不活性電極のどちらかをスイッチできることを意味する。両電極に対する抵抗スイッチ電流-電圧(I-V)曲線は,安定なメモリ窓を示す。材料的および電気的分析を通して,不活性電極でスイッチングするための理由は,In₂O₃の酸素-欠乏-豊富特性であることを見出した。最後に,この現象を説明するための物理モデルを提案する。(翻訳著者抄録)

, , , , , , ,
, ,

電子・磁気・光学記録

引用文献 (25件)：

M.-F. Hung, Y.-C. Wu, and Z.-Y. Tang, Appl. Phys. Lett. 98, 162108 (2011).
T.-C. Chang, F.-Y. Jian, S.-C. Chen, and Y.-T. Tsai, Mater. Today 14, 608 (2011).
C.-C. Lin and Y. Kuo, J. Appl. Phys. 115, 084113 (2014).
W. Banerjee, X. Xu, H. Liu, H. Lv, Q. Liu, H. Sun, S. Long, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett. 36, 333 (2015).
M.-F. Hung, Y.-C. Wu, J.-J. Chang, and K.-S. Chang-Liao, IEEE Electron Device Lett. 34, 75 (2013).

, , , , ,

前のページに戻る

In2O3ベースの抵抗ランダムアクセスメモリーにおける極性形成プロセスを制御した後の不活性Pt電極スイッチング機構

In₂O₃ベースの抵抗ランダムアクセスメモリーにおける極性形成プロセスを制御した後の不活性Pt電極スイッチング機構