GaAs/InGaAs非対称二重量子井戸シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ構造における非線形電子輸送

MOHAPATRA Meryleen; SAHU Arttatran; PANDA Sangita R.; DAS Sudhakar; SAHU Trinath; PANDA Ajit K.

文献

J-GLOBAL ID：201702225790252252 整理番号：17A1810244

GaAs/InGaAs非対称二重量子井戸シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ構造における非線形電子輸送

Nonlinear electron transport in GaAs/InGaAs asymmetric double-quantum-well pseudomorphic high-electron-mobility transistor structure

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資料名：
巻： 56 号： 6 ページ： 064101.1-064101.5 発行年： 2017年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

GaAs/In_xGa_1-xAs二重量子井戸シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(p-HEMT)に関して,電子移動度μの構造非対称誘起非線形増強を分析する。基板に沿った障壁中(逆ドーピング)と表面における(表面ドーピング)井戸幅w_iとw_sおよび,ドーピング濃度n_diとn_dsを考察する。w_sとn_dsを適切に選定すると,w_iの変化に伴って,サブバンド占有において興味深い変化が現れる。先ず,単一サブバンド占有,次に,二重サブバンド,そして再び単一サブバンドが現れる。n_diを増加すると,二重サブバンド占有域が増大する。しかし,サブバンド間効果によるμ低下は最小になる。単一チャネルHEMT,即ちn_di=0の場合,単一サブバンドのみが占有される。移動度は,w_i中心値で最小となるカスプ状挙動を示す。n_dsを大きな値にすると,サブバンド占有は異なる傾向を示す。即ち,異なるn_di値に対して,w_iの関数として単一から二重サブバンド占有へ変化する。この変化は,μの非単調変動を伴う。移動度の非線形増強に関する検討結果は,結合GaAs/In_xGa_1-xAs二重量子井戸p-HEMT構造の分析に利用できる。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (32件)：

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