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J-GLOBAL ID：201702226725506153   整理番号：17A0390071

珪素/炭化珪素パワーデバイスにおけるダイ取付用炭化珪素添加銀マイクロフレーク焼結継手の熱疲労特性

Thermal Fatigue Behavior of Silicon-Carbide-Doped Silver Microflake Sinter Joints for Die Attachment in Silicon/Silicon Carbide Power Devices

著者 (4件)： ZHANG Hao (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  CHEN Chuantong (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAGAO Shijo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGANUMA Katsuaki (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 2  ページ： 1055-1060  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーデバイスのダイ取付構造にサブミクロン炭化珪素粒子(SiC_p)添加銀(Ag)マイクロフレークを用いる焼結接合部の熱疲労特性を研究した。この構造は,現在の製造プロセスに適合する直接接合銅(DBC)基板上に製作し,結合はSiC_p有無のAgマイクロフレークペーストの焼結で行った。結合構造中のSiC_pの存在は,熱サイクル試験による強度および安定性の減少を小さくした。これは,SiC_pが焼結したAg層の微細構造を維持したためであった。DBC表面に堆積したTiバリア層は,AgへのCuの拡散とCuの酸化を防止した。Niバリア層では,厚さがTi層の10倍あっても,拡散防止効果が不十分であった。環境負荷試験の結果は,提案したSiC_pを有するダイ取付構造が1000サイクル後でも-40°C~250°Cで熱的に安定であり,SiCなどのワイドバンドギャップ半導体を用いる次世代パワーデバイスの目標動作温度と整合性があった。

シソーラス用語： *ペースト ,  *焼結 ,  *炭化ケイ素 ,  *ダイボンディング ,  *半導体素子 ,  *基板 ,  層 ,  試験
準シソーラス用語： *ダイアタッチ ,  バリア層 ,  *パワーデバイス ,  *銀ペースト ,  *銅基板 ,  熱サイクル試験

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  接着  (WC07020V)

タイトルに関連する用語 (10件)： 珪素 ,  炭化珪素 ,  パワーデバイス ,  ダイ ,  取付 ,  銀 ,  フレーク ,  焼結 ,  継手 ,  疲労特性