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J-GLOBAL ID：201702227889134281   整理番号：17A0953405

GaAs活性層とともにZnSe基板を用いた新しい光陰極

New photocathode using ZnSe substrates with GaAs active layer

著者 (3件)： JIN Xiuguang (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Ibaraki, JPN) ,  TAKEDA Yoshikazu (Aichi Synchrotron Radiation Center, Aichi, JPN) ,  FUCHI Shingo (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3  ページ： 036701.1-036701.4  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタキシーシステムを用いて,GaAs活性層をZnSe基板上に作製することに成功した。光陰極として,GaAs活性層は532nmレーザー光照射で9%の高い量子収率(QE)を示し,それはバルクのGaAsからの11%のQEと同等である。加えて,10μAの発光電流をこの光陰極から得た。もう一つ重要な点は,この光陰極は532nmレーザー光の裏面照射を実現できる可能性があり,従ってその広がる応用が顕微鏡検査や加速器分野で期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  セレン化亜鉛 ,  *光電陰極 ,  *量子収量 ,  *レーザ照射 ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： 光陰極 ,  量子収率

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光電子放出  (BM09030D)

引用文献 (30件)：

• C. K. Sinclair, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 557, 69 (2006).
• Web [http://www2.kek.jp/ilc/en/index.html].
• T. Siggins, C. Sinclair, C. Bohn, D. Bullard, D. Douglas, A. Grippo, J. Gubeli, G. A. Krafft, and B. Yunn, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 475, 549 (2001).
• M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, Y. Nakagawa, T. Konomi, A. Mano, N. Yamamoto, M. Kuwahara, M. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanishi, X. G. Jin, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Kohashi, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato, and H. Horinaka, Appl. Phys. Express 3, 026601 (2010).
• M. Kuwahara, S. Kusunoki, X. G. Jin, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 101, 033102 (2012).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  活性層 ,  ZnSe ,  光陰極