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J-GLOBAL ID：201702230903723629   整理番号：17A1223495

300mm InGaAs-オン-絶縁体基板直接ウエーハボンディングとスマートカット技術

300 mm InGaAs-on-insulator substrates fabricated using direct wafer bonding and the Smart Cut technology

著者 (26件)： WIDIEZ Julie (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  WIDIEZ Julie (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  SOLLIER Sebastien (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  SOLLIER Sebastien (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  BARON Thierry (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  BARON Thierry (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  MARTIN Mickaeel (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  MARTIN Mickaeel (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  GAUDIN Gweltaz (SOITEC, Bernin, DEU) ,  MAZEN Frederic (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  MAZEN Frederic (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  MADEIRA Florence (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  MADEIRA Florence (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  FAVIER Sylvie (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  FAVIER Sylvie (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  SALAUN Amelie (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  SALAUN Amelie (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  ALCOTTE Reynald (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  ALCOTTE Reynald (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  BECHE Elodie (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  BECHE Elodie (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  GRAMPEIX Helen (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  GRAMPEIX Helen (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  VEYTIZOU Christelle (SOITEC, Bernin, DEU) ,  MOULET Jean-Sebastien (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  MOULET Jean-Sebastien (LETI, CEA, Grenoble, FRA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04EB10.1-04EB10.5  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300mm In_0.53Ga_0.47-オン-絶縁体(InGaAs-OI)基板の最初の実証報告である。直接ウエハ接合とスマートカット技術によって大口径Siウエハ(300mm)上に高品質InGaAs層を低有効コストで形成した。Siドナー基板上のIII-V化合物の再生を考慮している。この技術の三つのキービルディングブロックは次の3点である。(1)300mm Siウエハ上のIII-Vエピタキシャル成長は欠陥密度を低減するために最適化する。(2)最初に,リン化インジウム(InP)エピタキシャル層内側で水素誘起熱剥離を行うが,それに加えてバルクInPにたいする広いイオン注入条件範囲を観測する。(3)最後に,アルミナとの特殊な直接ウエハボンディングを選択してアルミナ/III-V化合物界面における放出ガス拡散を回避する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *接合 ,  *基板 ,  絶縁体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体薄膜 ,  大口径 ,  *ウエハ【IC】 ,  剥離 ,  原価 ,  リン化インジウム ,  エピタクシー ,  アルミナ ,  結晶度 ,  イオン注入 ,  層間剥離
準シソーラス用語： *300mmウエハ ,  *ウエハボンディング ,  *絶縁体基板 ,  直接接合 ,  低コスト ,  水素イオン注入

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (29件)：

• S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, and N. Sugiyama, IEEE Trans. Electron Devices 55, 21 (2008).
• A. Lochtefeld and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett. 22, 95 (2001).
• R. Ohba and T. Mizuno, IEEE Trans. Electron Devices 48, 338 (2001).
• K. Natori, IEICE Trans. Electron. E84-C, 1029 (2001).
• S. Takagi, Symp. VLSI Tech. Dig., 2003, p. 115.

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaAs ,  絶縁体 ,  ウエーハ ,  ボンディング