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J-GLOBAL ID：201702233615668634   整理番号：17A0953490

Geフィン作製とGeフィン電界効果トランジスタの素子性能に対するエッチング中のUV光照射が原因となったプラズマ誘起損傷の衝撃

Impacts of plasma-induced damage due to UV light irradiation during etching on Ge fin fabrication and device performance of Ge fin field-effect transistors

著者 (11件)： MIZUBAYASHI Wataru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NODA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ISHIKAWA Yuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NISHI Takashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KIKUCHI Akio (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SU Ping-Hsun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LI Yiming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SAMUKAWA Seiji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDO Kazuhiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 2  ページ： 026501.1-026501.4  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Geフィン作製とGeフィン電界効果トランジスタ(Ge FinFET)の素子性能に対するエッチング中のUV光照射が原因となったプラズマ誘起損傷の衝撃を研究した。エッチング中のUV光照射はGeフィンの形状とGeフィン側壁の粗さに影響する。垂直で滑らかなGeフィンは,UV光照射をしなくても中性粒子ビームエッチングにより作製できるであろう。中性ビームエッチングにより作製したGe FinFETの性能は,UV光が衝撃する誘導結合プラズマエッチングにより作製したGe FinFETの性能に比べて大きく改善された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  ゲート【半導体】 ,  *紫外線照射 ,  照射損傷 ,  表面粗さ ,  誘導結合プラズマ ,  中性粒子ビーム ,  *エッチング ,  *ゲルマニウム ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： *FinFET ,  *フィン型ゲート ,  *プラズマ損傷 ,  中性ビーム ,  *中性ビームエッチング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• K. Ikeda, M. Ono, D. Kosemura, K. Usuda, M. Oda, Y. Kamimuta, T. Irisawa, Y. Moriyama, A. Ogura, and T. Tezuka, VLSI Symp. Tech. Dig., 2012, p.165.
• R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, M. Takenaka, and S. Takagi, IEDM Tech. Dig., 2012, p. 371.
• M. J. H. van Dal, G. Vellianitis, G. Doornbos, B. Duriez, T. M. Shen, C. C. Wu, R. Oxland, K. Bhuwalka, M. Holland, T. L. Lee, C. Wann, C. H. Hsieh, B. H. Lee, K. M. Yin, Z. Q. Wu, M. Passlack, and C. H. Diaz, IEDM Tech. Dig., 2012, p. 521.
• C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, C. Lu, W. F. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi, IEDM Tech. Dig., 2013, p. 32.
• H. Wu, W. Wu, M. Si, and P. D. Ye, IEDM Tech. Dig., 2015, p. 16.

タイトルに関連する用語 (11件)： Ge ,  フィン ,  作製 ,  電界効果トランジスタ ,  エッチング ,  UV光 ,  原因 ,  プラズマ ,  誘起 ,  損傷 ,  衝撃