MIZUBAYASHI Wataru について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
NODA Shuichi について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
ISHIKAWA Yuki について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
NISHI Takashi について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
KIKUCHI Akio について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
OTA Hiroyuki について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
SU Ping-Hsun について
National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について
LI Yiming について
National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について
SAMUKAWA Seiji について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
SAMUKAWA Seiji について
Tohoku Univ., Sendai, JPN について
ENDO Kazuhiko について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
Applied Physics Express について
FET【トランジスタ】 について
ゲート【半導体】 について
紫外線照射 について
照射損傷 について
表面粗さ について
誘導結合プラズマ について
中性粒子ビーム について
エッチング について
ゲルマニウム について
電流電圧特性 について
相互コンダクタンス について
FinFET について
フィン型ゲート について
プラズマ損傷 について
中性ビーム について
中性ビームエッチング について
トランジスタ について
Ge について
フィン について
作製 について
電界効果トランジスタ について
エッチング について
UV光 について
原因 について
プラズマ について
誘起 について
損傷 について
衝撃 について