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J-GLOBAL ID：201702235458710311   整理番号：17A0218009

触媒反応支援化学気相堆積法による酸化亜鉛薄膜の堆積

著者 (5件)： 安井寛治 (長岡技科大) ,  田島諒一 (長岡技科大) ,  寺口祐介 (長岡技科大) ,  里本宗一 (長岡技科大) ,  加藤孝弘 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J100-C  号： 1  ページ： 8-15 (WEB ONLY)  発行年： 2017年01月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 白金ナノ粒子表面での水素・酸素の触媒反応による燃焼で生成した高温の水分子を利用した化学気相堆積(CVD)法を考案した。このCVD法において高エネルギー水分子ビームとアルキル亜鉛ガスとの反応により生成した酸化亜鉛(ZnO)プリカーサを用いてサファイア基板上にZnO結晶膜を堆積させたところ,室温で189cm²/Vsの大きな電子移動度を有し低温で半値幅1.0meVの強いバンド端発光を示す高品質な結晶膜を得た。亜酸化窒素(N₂O)を微量添加したところ,更に大きな電子移動度を示す高品質なZnO結晶膜を得た。本論文では白金触媒での反応,CVD装置構造を説明するとともに,得られたZnO結晶膜の結晶性・配向性や電気的特性,光学的特性について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *触媒反応 ,  *化学蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *結晶度 ,  酵素反応 ,  水素 ,  白金 ,  ナノ粒子 ,  高温 ,  水分子 ,  *薄膜成長 ,  酸化二窒素 ,  *キャリア移動度 ,  白金触媒 ,  結晶方位 ,  前駆体 ,  *光ルミネセンス ,  依存性 ,  添加物効果 ,  *電気伝導 ,  電子密度 ,  キャリア密度 ,  X線回折 ,  スペクトル ,  温度依存性
準シソーラス用語： *電子移動度 ,  膜厚依存性 ,  光ルミネセンススペクトル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• B.K. Meyer, H. Alves, D.M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christein, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, and A.V. Rodina, “Bound exiton and donor-acceptor pair recombination in ZnO,” Phy. Stat. Sol. (b), vol.241, pp.231-260, Jan. 2004.
• T. Minami, “Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes,” Semicond. Sci. Technol., vol.20, pp.S35-S44, March 2005.
• A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, “Repeated temperature modulation epitaxy for ptype doping and light-emitting diode based on ZnO,” Nature Materials, vol.4, pp.42-46, Jan. 2005.
• N.F. Cooray, K. Kushiya, A. Fujimaki, I. Sugiyama, T. Miura, D. Okumura, M. Sato, M. Ooshita, and O. Yamase, “Large area ZnO films optimized for graded band-gap Cu(InGa)Se₂- based thin-film mini modules,” Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol.49, pp.291-297, Dec. 1997.
• E.M. Kaidashev, M. Lorenz, H. von Wenckstern, A. Rahm, H.-C. Semmelhack, K.-H. Han, G. Benndorf, C. Bundesmann, H. Hochmuth, and M. Grundmann, “High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition,” Appl. Phys. Lett., vol.82, pp.3901-3903, June 2003.

タイトルに関連する用語 (5件)： 触媒反応 ,  支援 ,  化学気相堆積 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  堆積