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J-GLOBAL ID：201702239227437872   整理番号：17A0848141

SF₆ガスを用いたサブ大気圧プラズマによる4インチSiC基板の高能率裏面薄化加工

著者 (5件)： 向井莉紗 (大阪大 大学院工学研究科) ,  井上裕貴 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  松山智至 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2017  ページ： 68-69  発行年： 2017年06月29日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCデバイス製造時の裏面薄化工程においてサブ大気圧プラズマによるプラズマエッチングを用いることを検討している。今回,4インチSiCウエハ全面一括加工を目的とし,4インチ全面電極を開発し加工を行った。減圧条件によりSF₆濃度100%においても4インチウエハ全面一括加工に成功した。また面積に応じて投入電力を上げ,同電力密度における加工速度を調査した。その結果,2インチウエハと同程度の加工速度が得られ,4インチウエハで加工速度6.4μm/minを達成した。(著者抄録)

シソーラス用語： *基板 ,  *炭化ケイ素 ,  *裏面 ,  大気プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  ウエハ【IC】 ,  フッ化硫黄 ,  気体 ,  エネルギー密度 ,  加工速度
準シソーラス用語： *SiC基板 ,  高能率加工 ,  *裏面薄化 ,  サブ大気圧プラズマ ,  SF₆ガス ,  電力密度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： SF6ガス ,  サブ ,  大気圧プラズマ ,  SiC基板 ,  高能率