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J-GLOBAL ID：201702242658396132   整理番号：17A1810248

温度制御ゲルコラムクロマトグラフィによる1.9nm直径半導体単一壁カーボンナノチューブの精製および薄膜トランジスタデバイスへの応用

Purification of 1.9-nm-diameter semiconducting single-wall carbon nanotubes by temperature-controlled gel-column chromatography and its application to thin-film transistor devices

著者 (6件)： THENDIE Boanerges (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OMACHI Haruka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIROTANI Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Yutaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINOHARA Hisanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 6  ページ： 065102.1-065102.8  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大直径単一壁カーボンナノチューブ(s-SWCNT)は,小直径s-SWCNTに比べて,優れた移動度と伝導度を有する。しかし,通常の精製法は,大直径領域における選択性が低いために,直径1.6nm以上のs-SWCNTをゲル濾過によって精製することは困難であった。本論文では,温度制御ゲル濾過法と溶出法を組み合わせた手法を報告する。本手法は,直径1.9nmのs-SWCNTを高純度に精製するために開発した。直径1.9nmのSWCNTを使用した薄膜トランジスタ(TFT)の平均チャネル移動度は23.7cm²V^-1s^-1であった。これは,通常の小直径1.5・1.4nm SWCNT-TFTよりも大幅に大きな値である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  サイズ効果 ,  *精製 ,  キャリア移動度 ,  電気伝導率 ,  チャネル移動度
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  *単一壁カーボンナノチューブ ,  *SWCNT ,  寸法効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (60件)：

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• X. Duan, C. Niu, V. Sahi, J. Chen, J. W. Parce, S. Empedocles, and J. L. Goldman, Nature 425, 274 (2003).
• M. F. Islam, E. Rojas, D. M. Bergey, A. T. Johnson, and A. G. Yodh, Nano Lett. 3, 269 (2003).
• M. A. Meitl, Y. Zhou, A. Gaur, S. Jeon, M. L. Usrey, M. S. Strano, and J. A. Rogers, Nano Lett. 4, 1643 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： 温度制御 ,  直径 ,  単一壁カーボンナノチューブ ,  精製 ,  薄膜トランジスタ ,  応用