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J-GLOBAL ID：201702249967956409   整理番号：17A1943199

NO₂ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価

Study on degradation of NO₂ adsorbed H-terminated diamond MOS FETs by constant voltage stress

著者 (7件)： 石松裕真 (佐賀大 理工) ,  舟木浩祐 (佐賀大 理工) ,  桝谷聡士 (佐賀大 理工) ,  宮崎恭輔 (佐賀大 理工) ,  大島孝仁 (佐賀大 理工) ,  嘉数誠 (佐賀大 理工) ,  大石敏之 (佐賀大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 331(ED2017 49-71)  ページ： 69-72  発行年： 2017年11月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており,これまでに水素終端やNO₂ホールドーピングにより高周波や高出力動作が報告されている。さらにAl₂O₃保護膜を適用することで,真空中で約2時間の動作安定性が得られている。しかし,信頼性試験やそのメカニズムに関してはこれまであまり検討されていない。今回,NO₂ホールドーピングとAl₂O₃膜堆積を適用した構造で,空気中で14.3時間の安定動作を得た。さらに,ストレス試験前後の電気的特性を比較することで劣化メカニズムを解析した。解析結果からゲート端に電界が集中しAl₂O₃膜とAl₂O₃/ダイヤモンド界面が劣化し,ゲート絶縁膜のリーク電流増加とドレイン電流低下が発生することが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *MOSFET ,  ドーピング ,  二酸化窒素 ,  *負荷試験 ,  *機構 ,  電気的性質 ,  *CAD【計算機】
準シソーラス用語： *ダイヤモンド半導体 ,  ホールドーピング ,  水素終端 ,  *ストレス試験 ,  *劣化機構 ,  電気的特性 ,  *TCAD

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (15件)：

• H. Kawarada, Hydrogen-terminated diamond surfaces and interfaces, Surf. Sci. Rep. 26 (7) (1996) 205-259.
• M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, T. Makimoto, Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications, Diam. Relat. Mater. 16 (4-7) (2007) 1010-1015.
• R.J. Nemanich, J.A. Carlisle, A. Hirata, K. Haenen, CVD diamond-Research, applications, and challenges, MRS Bull. 39 (6) (2014) 490-494.
• K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura, Study of the effect of hydrogen on transport properties in chemical vapor deposited diamond films by Hall measurements, Appl. Phys. Lett. 68 (3) (1996) 376-378.
• S. Ri, K. Tashiro, S. Tanaka, T. Fujisawa, H. Kimura, T. Kurosu, M. Iida, Hall Effect Measurements of Surface Conductive Layer on Undoped Diamond Films in NO₂ and NH₃ Atmospheres, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (6A) (1999) 3492-3496.

タイトルに関連する用語 (8件)： NO2 ,  ホールドーピング ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  MOS ,  FET ,  DC ,  ストレス評価