光誘導性過渡的分光法によって研究した非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける負バイアス熱照明ストレス安定性とトラップ状態の相関関係

HAYASHI Kazushi; OCHI Mototaka; HINO Aya; TAO Hiroaki; GOTO Hiroshi; KUGIMIYA Toshihiro

文献

J-GLOBAL ID：201702250694873414 整理番号：17A0953413

光誘導性過渡的分光法によって研究した非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける負バイアス熱照明ストレス安定性とトラップ状態の相関関係

Correlation of trap states with negative bias thermal illumination stress stabilities in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors studied by photoinduced transient spectroscopy

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資料名：
巻： 56 号： 3S ページ： 03BB02.1-03BB02.8 発行年： 2017年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の負バイアス熱照明ストレス(NBTIS)安定性を光誘導性過渡的分光法(PITS)によって研究した。エッチストップ層(ESL)のあるa-IGZO TFTのチャンネル領域のトラップ状態とTFT性能劣化を相関した。4%のO₂分圧(p/p)下で作ったa-IGZOでおよそ100Kの突出したピークを観察した。O₂p/pを増やすことで,およそ230Kの見かけ肩が,PITSスペクトラムに現れた。ESL堆積のためのSiH₄/N₂Oのより高い流量は,230Kのピークと関連したトラップ状態を誘導した。およそ100Kのピークは,プレアニーリングによるZnの枯渇から始まり,一方,およそ230Kのピークは酸素欠乏および/またはa-IGZO中のOHの形成によるZnリッチ欠陥に起因する。a-IGZO TFTのトラップ状態は,はNBTISに関して劣化を引き起こした。閾値電圧シフト(ΔV th)は2.5Vであった。しかし,それはO₂p/pならびにESL堆積のためのSiH₄/N₂Oの流量で増加した。ΔV thの時間依存は,ESLからのおよび/またはa-IGZO薄膜中の水素が取り込まれそして,a-IGZO TFTチャンネル領域のトラップ状態を修正することを示唆した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (38件)：

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