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J-GLOBAL ID：201702257533878547   整理番号：17A0953456

マグネシウムイオン注入によるGaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)のP型ドーピング

P-type doping of GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) by magnesium ion implantation

著者 (5件)： NARITA Tetsuo (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI Tetsu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  KACHI Tetsu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATAOKA Keita (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  UESUGI Tsutomu (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 1  ページ： 016501.1-016501.4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面が高温安定であるGaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)基板上にマグネシウムイオン注入を行い,保護層を使用せずに注入後アニーリングを可能にした。GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)上に作製したp-nダイオードの電流-電圧特性は,約3Vのターンオン電圧で明確な整流を示した。マグネシウムイオンと水素イオンを共注入した場合,漏れ電流およびデバイス間バラツキが,効果的に抑制された。更に,これらのダイオードに対して,450nm以下の波長でエレクトロルミネセンスバンドが観察された。これらの結果は,注入したマグネシウムイオンが,GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)中にアクセプタを生成するという強力な証拠を提供した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネシウム化合物 ,  *金属イオン ,  *イオン注入 ,  *窒化ガリウム ,  *ドーピング ,  焼なまし ,  *ダイオード ,  電流電圧特性 ,  電圧 ,  整流 ,  陽子 ,  注入 ,  漏れ電流 ,  *エレクトロルミネセンス ,  アクセプタ ,  技術 ,  微細加工
準シソーラス用語： *マグネシウムイオン ,  GaN ,  *p型ドーピング ,  保護層 ,  アニーリング処理 ,  ターンオン電圧 ,  水素イオン ,  共注入 ,  エネルギーバンド ,  微細加工技術

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• M. Kanechika, M. Sugimoto, N. Soejima, H. Ueda, O. Ishiguro, M. Kodama, E. Hayashi, K. Itoh, T. Uesugi, and T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L503 (2007).
• M. Kodama, M. Sugimoto, E. Hayashi, N. Soejima, O. Ishiguro, M. Kanechika, K. Itoh, H. Ueda, T. Uesugi, and T. Kachi, Appl. Phys. Express 1, 021104 (2008).
• H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto, Appl. Phys. Express 5, 064001 (2012).
• S. Matsunaga, S. Yoshida, T. Kawaji, and T. Inada, J. Appl. Phys. 95, 2461 (2004).
• Y. Irokawa, O. Fujishima, T. Kachi, and Y. Nakano, J. Appl. Phys. 97, 083505 (2005).

タイトルに関連する用語 (4件)： マグネシウム ,  イオン注入 ,  GaN ,  p型ドーピング