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J-GLOBAL ID：201702268045316913   整理番号：17A1223651

SiO₂/4H-SiC(0001)と(00-0)の界面における酸窒化および湿式酸化効果の電気的および物理的キャラクタリゼーション

Electrical and physical characterizations of the effects of oxynitridation and wet oxidation at the interface of SiO₂/4H-SiC(0001) and (000<span style=text-decoration:overline>1</span>)

著者 (15件)： SHIOMI Hiromu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHIOMI Hiromu (Sumitomo Electric Ind., Ltd.) ,  KITAI Hidenori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KITAI Hidenori (Sumitomo Electric Ind., Ltd.) ,  TSUJIMURA Masatoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TSUJIMURA Masatoshi (Toyota Motor Corp.) ,  KIUCHI Yuji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KIUCHI Yuji (New Japan Radio Co., Ltd.) ,  NAKATA Daisuke (New Japan Radio Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  ONO Shuichi (New Japan Radio Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  KOJIMA Kazutoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Kenji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO Kuhihiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Kimiyohi (New Japan Radio Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. of Advanced Industrial Sci. Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04ER19.1-04ER19.6  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/4H-SiC(0001)と(00-0)の界面における酸窒化および湿式酸化の効果を,電気的および物理的キャラクタリゼーション法を用いて研究した。Hall測定と分割容量電圧(C-V)測定は,湿式酸化物と乾式酸窒化物界面との間の電界効果移動度の差が主に全誘発電子密度に対する移動電子密度の比に起因することを明らかにした。反転キャリアの大きな捕獲を引き起こす伝導バンド端に近い表面状態も評価した。高分解能Rutherford後方散乱分光(HR-RBS)分析と高分解能弾性反跳検出分析(HR-ERDA)を用いて,SiC-MOS界面のナノメートルスケール組成プロファイルを初めて示した。これらの分析は,陰極線ルミネセンス(CL)分光法と透過型電子顕微鏡(TEM)と共に,界面における化学量論と粗さの偏差が,SiO₂/4H-SiC(0001)と(00-0)界面における酸窒化および湿式酸化の効果を決めることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  *界面 ,  窒化 ,  湿式酸化 ,  *電気的性質 ,  *物理的性質 ,  キャラクタリゼーション ,  Hall移動度 ,  容量電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  電子密度 ,  捕獲 ,  伝導バンド ,  バンド構造 ,  表面構造 ,  高分解能 ,  スペクトロスコピー ,  放射線吸収・散乱分析 ,  MOS構造 ,  分布 ,  陰極線ルミネセンス ,  透過型電子顕微鏡 ,  化学量論 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  Rutherford後方散乱分光測定 ,  バンド端 ,  界面粗さ ,  酸窒化 ,  組成分布 ,  弾性反跳検出分析 ,  電界効果移動度

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

引用文献 (47件)：

• H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys 43, 6835 (2004).
• H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• Infineon Technologies AG [http://www.infineon.com]
• M. Imaizumi and N. Miura, IEEE Trans. Electron Devices 62, 390 (2015)
• T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology (Wiley, Singapore, 2014) Chap. 1

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  界面 ,  酸窒化 ,  湿式酸化 ,  物理 ,  キャラクタリゼーション