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J-GLOBAL ID：201702268833669452   整理番号：17A1138243

窒化SiO₂/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果

著者 (8件)： 畠山哲夫 (産業技術総合研) ,  木内祐治 (産業技術総合研) ,  染谷満 (産業技術総合研) ,  岡本大 (筑波大) ,  原田信介 (産業技術総合研) ,  矢野裕司 (筑波大) ,  米澤喜幸 (産業技術総合研) ,  奥村元 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5a-A203-6  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *界面 ,  *窒化 ,  *伝導バンド ,  *表面準位 ,  *結晶面 ,  MOSFET ,  容量電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  *状態密度 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： 伝導帯 ,  界面準位 ,  正孔移動度 ,  *界面状態密度

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒化 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  伝導帯 ,  近傍 ,  界面準位密度 ,  方位