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J-GLOBAL ID：201702269936744746   整理番号：17A1003257

2μmのInGaSb/AlGaAsSb量子井戸レーザの温度と電流に依存する自然放出

Temperature- and current-dependent spontaneous emission study on 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well lasers

著者 (10件)： LI Xiang (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  WANG Hong (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  QIAO Zhongliang (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  QIAO Zhongliang (Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN) ,  LIAO Yongping (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Yu (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XU Yingqiang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  NIU Zhichuan (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  TONG Cunzhu (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  LIU Chongyang (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 5  ページ： 050310.1-050310.4  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 動作中の2μmのInGaSb/AlGaAsSb量子井戸レーザの側壁からの自発放出を,注入電流と温度の関数として測定した。局所Zパワーパラメータを抽出し,キャリア再結合挙動を調べた。キャリア損失機構を解釈するために,活性化エネルギーを含むモデルを示した。注入したキャリアの大部分が低注入電流で放射的に再結合し,注入電流と共にAuger非放射性再結合が大幅に増加することを示した。さらに重要なことに,20~80°CでZの明白な温度依存性は観測されなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,  *自然放出 ,  アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  ヒ素化合物 ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  *キャリア再結合 ,  放射強度
準シソーラス用語： 電流依存性

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (23件)：

• X. Li, H. Wang, Z. Qiao, Y. Zhang, Z. Niu, C. Tong, and C. Liu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 22, 1500507 (2016).
• J. J. Ackert, D. J. Thomson, L. Shen, A. C. Peacock, P. E. Jessop, G. T. Reed, G. Z. Mashanovich, and A. P. Knights, Nat. Photonics 9, 393 (2015).
• G. Roelkens, U. Dave, A. Gassenq, N. Hattasan, C. Hu, B. Kuyken, F. Leo, A. Malik, M. Muneeb, and E. Ryckeboer, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 20, 394 (2014).
• W. Lei and C. Jagadish, J. Appl. Phys. 104, 091101 (2008).
• S. Luo, H. M. Ji, F. Gao, F. Xu, X. G. Yang, P. Liang, and T. Yang, Opt. Express 23, 8383 (2015).

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaSb ,  量子井戸レーザ ,  放出