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J-GLOBAL ID：201702274188696978   整理番号：17A0330986

RFマグネトロンスパッタリングによって堆積したAl₂O₃挿入CeO₂薄膜の電気的性質

ELECTRICAL PROPERTIES OF Al₂O₃ INCORPOLATED CeO₂ THIN FILMS DEPOSITED BY RF MAGNETRON SPUTTERING

著者 (7件)： GOTO T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KONISHI J. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  GYOUGYOKU Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  TAMURA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI S. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  ISHIBASHI K. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 35  ページ： 31-36  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al₂O₃を0.0~0.6のモル比率で組み込んだCeO₂膜をp型シリコン基板上に,10%のO₂を導入したAr雰囲気中でCeO₂とAl₂O₃ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリングにより堆積した。堆積は組み合わせマスクシステムを使って行った。アニーリングを窒素又は酸素中において500°Cで30分間施した。0.2のモル比でAl₂O₃を含む窒素アニール試料では,1MV/cmの電場で1.6×10^-8A/cm²の最小漏れ電流密度が得られた。これは,Al₂O₃を取り込んでいない膜のそれよりも2桁も小さい値であった。組み込んだAl₂O₃モル比率の関数としてのフラットバンド電圧の変化は固定正電荷発生を示唆していた。この発生は膜内での低Ce酸化物の形成,及び又は基板から膜内に拡散したSiの低酸化物に起因していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化セリウム ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *漏れ電流 ,  電流密度 ,  酸化アルミニウム ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  電流電圧特性 ,  誘電率 ,  *スパッタ蒸着
準シソーラス用語： *二酸化セリウム ,  漏れ電流密度 ,  酸化物薄膜 ,  *RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (11件)：

• J. J. Scheer and J. van Larr, Solid State Commun., 3, 189 (1965).
• A. A. Turnbull, and G. B. Evans, J. Appl. Phys., 1, 155 (1968).
• C.Y. Prescott, et. al., Phys. Let. B, 77, 347 (1978).
• W. E. Spicer, Appl. Phys., 12, 115 (1977).
• H. Sonnenberg, Appl. Phys. Lett., 14, 289 (1969).

タイトルに関連する用語 (5件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  Al2O3 ,  薄膜 ,  電気的性質