サファイア基板上に成長したSnドープα-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の導電率制御

AKAIWA Kazuaki; AKAIWA Kazuaki; KANEKO Kentaro; ICHINO Kunio; FUJITA Shizuo

文献

J-GLOBAL ID：201702275336284274 整理番号：17A0848463

サファイア基板上に成長したSnドープα-Ga₂O₃薄膜の導電率制御

Conductivity control of Sn-doped α-Ga₂O₃ thin films grown on sapphire substrates

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資料名：
巻： 55 号： 12 ページ： 1202BA.1-1202BA.8 発行年： 2016年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

結晶品質を改善することにより,より高い電子移動度およびより広い伝導度制御を有するSnドープα-Ga₂O₃薄膜の作製を著者は成功させた。24cm²V^-1s^-1の最大電子移動度を有するn型伝導性をα-Ga₂O₃膜は示した。キャリア濃度は10¹⁷-10¹⁹cm^-3の範囲で首尾よく制御された。転位などの結晶欠陥は,α-Ga₂O₃膜中の自由キャリアを大きく補正し,低キャリア濃度での移動度を制限する。したがって,より高い導電率制御と高い移動度を達成するために,α-Ga₂O₃膜の結晶性を改善することが必要である。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , その他の無機化合物の電気伝導

引用文献 (25件)：

D. Shinohara and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 7311 (2008).
M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 4166 (2000).
N. Suzuki, S. Ohira, M. Tanaka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Phys. Status Solidi C 4, 2310 (2007).
K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 88, 092106 (2006).
T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 7217 (2007).

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