パルスレーザ堆積法による(100)Ge基板上の(110)ルチルTiO<sub>2</sub>薄膜の薄膜成長

SUZUKI Yoshihisa; SUZUKI Yoshihisa; NAGATA Takahiro; NAGATA Takahiro; YAMASHITA Yoshiyuki; NABATAME Toshihide; OGURA Atsushi; CHIKYOW Toyohiro

文献

J-GLOBAL ID：201702275634909838 整理番号：17A1220886

パルスレーザ堆積法による(100)Ge基板上の(110)ルチルTiO₂薄膜の薄膜成長

Thin-film growth of (110) rutile TiO₂ on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 55 号： 6S1 ページ： 06GG06.1-06GG06.5 発行年： 2016年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,パルスレーザ堆積(PLD)によってp型(100)Ge基板上に成長させた(100)ルチルTiO₂の堆積条件を,TiO₂/Ge構造の電気的特性を改善するために最適化した。基板温度(T_sub)を上昇させると,TiO₂層への粒子成長,膜の表面粗さ,およびGeのTiO₂層への拡散が増加した。成長速度は,PLD(L_d)におけるレーザ密度によって制御され,Ge拡散に影響を与えた。0.35J/cm²(0.37nm/分)のL_dは,450°Cの温度でGe拡散を高め,結晶性および表面粗さを改善したGeO_xは分解および脱着を受ける。しかし,TiO₂へのGe拡散は,電気的特性を劣化させた。最適化された(L_d=0.7J/cm²およびT_sub=420°C)ポストアニーリングでは,TiO₂/Ge構造が3桁のリーク電流の改善を示し,容量-圧特性特性は,p-n接合の形成を示した。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , トランジスタ , 固体デバイス計測・試験・信頼性

引用文献 (32件)：

M. Schulz, Nature 399, 729 (1999).
S. E Thompson and S. Parthasarathy, Mater. Today 9 [6], 20 (2006).
M. L. Lee, C W. Leitz, Z. Cheng, A. J. Pitera, T. Langdo, M. T. Currie, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 79, 3344 (2001).
K Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino, Thin Solid Films 369, 289 (2000).
S. Van Elshocht, M. Caymax, T. Conard, S. De Gendt, I. Hoflijk, M. Houssa, B. D. Jaeger, J. Van Steenbergen, M. Heyns, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett. 88, 141904 (2006).

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パルスレーザ堆積法による(100)Ge基板上の(110)ルチルTiO2薄膜の薄膜成長

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