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J-GLOBAL ID：201702275671554179   整理番号：17A1811159

極端紫外光リソグラフィのために利用される化学増幅レジストのエネルギー不足領域における感度増強についての理論的研究

Theoretical study on sensitivity enhancement in energy-deficit region of chemically amplified resists used for extreme ultraviolet lithography

著者 (3件)： KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SANTILLAN Julius Joseph (Evolving Nano-process Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN) ,  ITANI Toshiro (Evolving Nano-process Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 10  ページ： 106503.1-106503.5  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィにおける光子の役割は,レジストパターン形成に必要なエネルギーと情報とを伝達することである。情報不足領域では,ラインエッジ粗さ(LER)と感度とのトレードオフ関係が見られる。しかし,エネルギー不足領域では,LERの増加なしに感度を増大できる。本研究では,11nmの半ピッチを有するラインアンドスペースパターンを仮定して,感度増大の限界を調べた。LERはモンテカルロ法にて計算した。10%の臨界寸法(CD)のライン幅粗さ(LWR)を維持しながら,感度を2倍に増大することは非現実的であり,20%のCD LWRを伴う2倍の感度増大が現実的であった。増感距離は2nm以下にすべきで,全体の増感剤密度は0.3nm^-3以上にすべきというのが,大まかな要求である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *化学増幅レジスト ,  *感度 ,  *表面粗さ ,  モンテカルロ法 ,  長さ
準シソーラス用語： *極端紫外光リソグラフィー ,  ラインエッジ粗さ ,  臨界寸法 ,  *ライン幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (36件)：

• H. Kinoshita, K. Kurihara, Y. Ishii, and Y. Torii, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1648 (1989).
• M. van de Kerkhof, H. Jasper, L. Levasier, R. Peeters, R. van Es, J.-W. Bosker, A. Zdravkov, E. Lenderink, F. Evangelista, P. Broman, B. Bilski, and T. Last, Proc. SPIE 10143, 101430D (2017).
• H. Ito and C. G. Willson, Polym. Eng. Sci. 23, 1012 (1983).
• H. Ito, Microlithography/Molecular Imprinting (Springer, Heidelberg, 2005) Advances in Polymer Science Series, Vol. 172, p. 37.
• M. Hori, T. Naruoka, H. Nakagawa, T. Fujisawa, T. Kimoto, M. Shiratani, T. Nagai, R. Ayothi, Y. Hishiro, K. Hoshiko, and T. Kimura, Proc. SPIE 9422, 94220P (2015).

タイトルに関連する用語 (6件)： 極端紫外光リソグラフィ ,  化学増幅レジスト ,  エネルギー ,  感度増 ,  理論 ,  研究