新しい多層トンネルFinFETへのSiGe/Siヘテロ接合の導入

MORITA Yukinori; FUKUDA Koichi; MORI Takahiro; MIZUBAYASHI Wataru; MIGITA Shinji; ENDO Kazuhiko; O’UCHI Shin-ichi; LIU Yongxun; MASAHARA Meishoku; MATSUKAWA Takashi; OTA Hiroyuki

文献

J-GLOBAL ID：201702279448425816 整理番号：17A1223491

新しい多層トンネルFinFETへのSiGe/Siヘテロ接合の導入

Introduction of SiGe/Si heterojunction into novel multilayer tunnel FinFET

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OTA Hiroyuki

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Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

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巻： 55 号： 4S ページ： 04EB06.1-04EB06.5 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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SiGe/Siヘテロ構造と多層フィンチャネルを持った新しいトンネルFinFETの実験的実証を行った。高品質SiGe層を,トンネル接合として高ドープSiソース上にエピタキシャル成長させた。3ゲート構造を持つFinFET様のヘテロ多層チャネルは,従来のSiGe/Siヘテロ接合平行平板トンネルFETと比較して,ドレイン電流を大幅に増大させた(翻訳著者抄録)

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引用文献 (37件)：

A. M. Ionescu and H. Riel, Nature 479, 329 (2011).
A. M. Ionescu, L. De Michielis, N. Dagtekin, G. Salvatore, C. Ji, A. Rusu, and S. Bartsch, IEDM Tech. Dig., 2011, 16.1.1.
A. C. Seabaugh and Z. Qin, Proc. JEFF, 98, 2095 (2010).
H. Fuketa, K. Yoshioka, K. Fukuda, T. Mori, H. Ota, M. Talcamiya, and T. Sakurai, Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2014, p. 832.
Y. Morita, T. Mori, S. Migita, W. Mizubayashi, K. Fukuda, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, Y. X. Liu, M. Masahara, and H. Ota, IEDM Tech. Dig., 2014, p. 243.

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