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J-GLOBAL ID:201702280184252554   整理番号:17A0955213

超低電力もののインターネットのための短絡回路電流の非常に小さいトンネルフィンFET CMOSインバータ

Tunnel FinFET CMOS inverter with very low short-circuit current for ultralow-power Internet of Things application
著者 (13件):
資料名:
巻: 56  号: 4S  ページ: 04CD19.1-04CD19.5  発行年: 2017年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリコントンネルフィンFETからなるCMOSインバータの動作を検証した。p型およびn型トンネルフィンFETの作製に成功し,同じSOIウエハー上で動作させた。p型およびn型トンネルFET間の電流ミスマッチは,フィンのチャネル数を調整することで補償した。非常に小さい短回路電流と明瞭な電圧の入力-出力特性が得られた。トンネルフィンFETの薄いエピタキシャルチャネルはドレイン電流を有効に増大させ,従ってドレイン容量を低下させ,高性能トンネルFET CMOSインバータの動作を支援することができる。(翻訳著者抄録)
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引用文献 (31件):
  • H. Fuketa, T. Yasufuku, S. Iida, M. Takamiya, M. Nomura, H. Shinohara, and T. Sakurai, IEDM Tech. Dig., 2011, p. 559.
  • A. M. Ionescu and H. Riel, Nature 479, 329 (2011).
  • K. Gopalakrishnan, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 289.
  • S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008).
  • C. W. Yeung, A. Padilla, T.-J. K. Liu, and C. Hu, Symp. VLSI Tech. Dig., 2009, p. 176.
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